北京市發(fā)布原子級制造三年行動計劃 劍指半導體與新材料產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新高地

據(jù)北京市經(jīng)濟和信息化局消息，北京市經(jīng)濟和信息化局于2026年1月23日正式印發(fā)《北京市原子級制造創(chuàng)新發(fā)展行動計劃（2026—2028年）》，旨在加快推動本市原子級制造產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展。該計劃核心目標是，圍繞半導體、新材料等領域典型應用，加快突破原子級制造工業(yè)軟件和重點裝備，力爭到2028年，在上述領域開發(fā)5種軟件工具，研制不少于10項創(chuàng)新裝備，形成10類典型應用和解決方案，初步構建國內(nèi)*的原子級制造技術創(chuàng)新高地和典型應用標桿。

為實現(xiàn)上述目標，行動計劃部署了五大重點工程。

一、實施原子級制造軟件支撐工程

該工程聚焦開發(fā)五大類軟件工具與數(shù)據(jù)庫。具體包括：原子級動態(tài)仿真軟件、原子級制造工藝設計軟件、原子級相變調(diào)控軟件、原子級表面檢測軟件，并構建原子級制造基礎數(shù)據(jù)庫，為制造過程的結(jié)構篩選、逆向設計、工藝優(yōu)化等提供數(shù)據(jù)支持。

二、實施原子級加工裝備攻關工程

工程旨在攻克6類關鍵加工裝備，以滿足半導體等領域的精密制造需求。重點包括：單晶硅晶圓埃米級去除裝備、硅晶圓原子級精度刻蝕裝備、半導體晶圓微米級減薄裝備、超高速軸承材料制備裝備、二維金屬材料制備裝備以及半導體超高真空環(huán)境保持裝備。

三、實施原子級構筑裝備攻關工程

本工程著力研制6類用于材料原子級構筑的核心裝備。涵蓋薄膜沉積裝備、靶材制備裝備（如單晶銅靶材）、外延生長裝備、離子注入裝備、原子級圖案化結(jié)構構筑裝備以及硅基可控碳原子連續(xù)沉積裝備，以支撐半導體先進制程及柔性電子等新興領域。

四、實施原子級性能測量裝備攻關工程

工程針對高精度測量與檢測需求，攻關3類裝備。主要包括：激光干涉測量裝備（用于超精密位置測量）、封裝檢測裝備（用于芯片失效分析和缺陷定位）以及超低濃度污染物檢測裝備（滿足ppb級氣體傳感測量需求）。

五、實施原子級制造應用突破工程

該工程面向半導體制造與新材料創(chuàng)制領域，計劃在半導體拋光、沉積、減薄、檢測以及二維材料制備等多個方面打造典型應用。同時，聚焦先進芯片制造與特殊性能材料規(guī)模化創(chuàng)制需求，開展工藝技術成熟度提升與集成驗證，推動技術與裝備“成組連線”應用試點。

為保障計劃順利實施，北京市將采取一系列措施。包括梯度培育科技型中小企業(yè)、高新技術企業(yè)及“專精特新”企業(yè)；積極爭取并統(tǒng)籌各級財政資金支持關鍵技術攻關；通過“創(chuàng)贏未來”路演等活動給予早期項目資金支持；鼓勵引育高水平復合型人才；推動建設產(chǎn)業(yè)育新平臺、中試平臺及標準化委員會，并發(fā)揮產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新聯(lián)盟作用，全方位服務和支撐原子級制造產(chǎn)業(yè)高水平創(chuàng)新發(fā)展。